【ZL2026TJ0001256】一种六方氮化硼单晶的方法

本发明涉及一种六方氮化硼单晶的方法，以金属Ni和氧化锂(Li2O)作为助溶剂，氮气和硼(B)或氮化硼(BN)作为源材料,通过助溶剂法生长大尺寸高质量的h‑BN单晶，在一定化料温度下恒温一定时间，使溶剂达到饱和状态并使B或BN充分溶解在熔剂中，再升温至生长温度且在氮气或氮氩混合气中恒温一定时间，以一定的降温速率降温，实现自发形核与生长。Ni和Li2O作为助溶剂，Li+与N极易结合，增加了N在熔剂中的溶解度，B与N在熔剂中结合。采用Ni‑Li+助熔剂体系，在高温常压下通过控制熔剂比例、氮氩气比例、浸泡时间、冷却速率等参数，生长不同尺寸及高质量的h‑BN单晶。